Prawdopodobnie już w czerwcu firma Samsung rozpocznie produkcję pamięci półprzewodnikowej takiej jak MRAM czy PRAM. Tego typu pamięci od dawna były uważane za obiecujące i przyszłościowe, choć nie miało to przełożenia na rynek, głównie ze względu na poziom rozwinięcia technologii. Pierwszy prototyp pamięci PRAM (Phase-change Random Access Memory) o pojemności 512 Mbit opracował Samsung, miało to miejsce trzy lata temu. Firma ta ocenia, że PRAM jest głównym kandydatem do zastąpienia układów stosowanych jako pamięci nieulotne, a więc umożliwiają one przechowywanie danych nawet po wyłączeniu zasilania. Nowe pamięci cechują się łatwością skalowania rozmiarów, dużo szybszą prędkością zapisu i odczytu, oraz zdecydowanie dłuższą trwałością.
umożliwiają one przechowywanie danych nawet po odłączeniu danych.
o rly ?